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电子产品的静电放电保护技术与新装置的应用

   2010-09-10 2720
本文导读:摘要:本文介绍静电产生的理念,并对生产现场采取的除静电措施与除静电器应用作分析,而且举例阐明电子产品的静电放电保护技术与新装置的应用。 关键词:静电放电 除静电器 电位传感器 1 前言 当今在电子产品设计与制

摘要:本文介绍静电产生的理念,并对生产现场采取的除静电措施与除静电器应用作分析,而且举例阐明电子产品的静电放电保护技术与新装置的应用。 

      关键词:静电放电 除静电器 电位传感器 

     1 前言

      当今在电子产品设计与制造过程中,人们很关心的是如何迸行电子产品的静电放电保护。因为它是提高产品的耐受性并关系影响整个电子工业长期发展的重要问题,所以静电破坏与促使静电放电(ESD)保护己显得日益重要。这是因为随着近来零件小型化和半导体高集成化趋势,其静电放电而引起的电路或器件的静电破坏已成为一大隐患的技术问题。静电破坏隐患问题是如何产生的呐?

 众所周知,MOS结构的IC、FET及高频器件等产品对静电非常敏感,容易受到静电破坏。其MOS器件比双极器件更易遭受到ESD破坏,并且随着制造工艺尺寸的每一次缩短而更加脆弱。由于随着IC制造工艺从500nm左右演变到90nm和更小尺寸,集成器件的击穿电压已大大降低。这与工作电压的降低直接相关,在计算核心领域幅度最大,而且在I/O、存储器、模拟电路也是如此。这个趋势的一个受害者就是传统的保护器件,它们的阈值电压超过了当前器件的最高电压应力极限。IC内部的传导膜也会遭受ESD导致熔断引发的故障,从而导致断路。熔断行为遵循门特征。内部峰值电流高达30A时,即使ESD的短暂闪击也能毁坏钛钨或镍铬薄膜迹线。

 为此防范危险的最好保护方法首先应了解危险的性质,以及它对系统的损害方式。通过静电电位传感器“EP传感器”的测量与生产现场应采取怎样的除静电措施来实施电子产品的静电放电保护,这就是本文研讨的思路与重点。首先对半导体器件的静电破坏模式作阐述。

 2 半导体器件的静电破坏模式

  器件的静电破坏模式大致分为以下3种:人体带电模式(HBM)、机器模式(MM)、器件带电模式(CDM)。

  人体带电模式(HBM),见图1(a)。人体带电模式为人体所带的电荷接触到器件端子时放电的模式。其发生原因是因未穿着防静电腕带与导电鞋与直接用手接触端子等造成。

  机器模式(MM),见图1(b)。机器模式(MM)为金属装置所带的电荷接触到器件端子时放电的模式。其发生原因是因设备或机器人的带电、接地不充分与电络铁的电源泄漏等造成。

  器件带电模式(CDM),见图1(c)。器件带电模式为器件的导体部(芯片、电线、引线框等)带静电、器件端子接触到设备或工具夹具时放电的模式。其发生原因是因IC的自动装配机的搬运部分发生摩擦带电等造成。

            

    3 什么是静电与其相关技术

    物质因摩擦等原因而导致正负电荷失衡、电子极性偏向一方的现象称为“带电”。在干燥的冬天,用手接触汽车车门时有时会听到噼啪的声响——这就是静电(其动电是一般的电)。

    静电是指物质中残留的电。因衣服和座位摩擦而附带接触金属部分后会放电,约3KV的高电压。

    3.1静电产生的原因是什么

    物质均由原子组成。原子由若干带负电的电子和带正电的原子核(质子和不带电的中子)组成。电子环绕于原子核周围。这些电子就是静电的原形。在通常状态下,质子带的正电荷电量与电子带的负电荷电量相同,所以原子整体上呈电中性。中性的原子会因摩擦、接触或剥离等原因而导致电子发生移动——如果带上多余电子便会带负电;反之。如果失去电子的话便会带正电。

    带电种类有以下几种类型:
             ⑴ 接触带电. 2个物体相互接铀而带电分为:摩擦带电、剥离带电、滚动带电、喷射带电等4种。
             ⑵ 感应带电.未发生接触便带电,因带有静电的物体接近或离开其他物体而带电。像这种没有相互接触却带上静电的现象称为“感应带电”。例如,只需将带电物体靠近IC,便会发生带电现象(静电感应)。因静电感应而导致发生故障的例子如图2所示。即使工件没有带电,如果带电物体接近导电体的话,导电体可能会因静电感应而导致内部出现极化,并产生放电现象。

                                
             ⑶ 除尘时的静电。除尘的陷阱之一,即使通过吹风将垃圾吹走后,带电状态仍会持续。除尘的陷阱之二,某些除静电方法无法彻底除去吸附的垃圾。.对于带静电的产品,可以用较强的离子风来同时进行除静电和除尘。

 
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