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Littelfuse推出0.9pF ±30kV分散式瞬态抑制二极管阵列

2017-09-27  来源:安规与电磁兼容网    浏览次数:6
导读:Littelfuse, Inc.推出了0.9pF ±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)系列产品。 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子

Littelfuse, Inc.推出了0.9pF ±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)系列产品。 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。 这种功能强大的二极管符合AEC-Q101标准,可安全吸收高于国际标准规定的最高级别的反复性ESD放电,且性能不会下降。

SP3222系列瞬态抑制二极管阵列

低负载电容使其成为MIPI摄像头和显示器、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速数据线提供ESD保护的理想选择。 该系列产品非常适合保护几何尺寸为28nm及以下的最新灵敏型芯片组免受破坏性ESD损坏。

 

SP3222系列瞬态抑制二极管阵列的其他应用包括高速串行接口、MHL、DisplayPort 1.3、机顶盒、游戏机、智能手机、外部存储设备、笔记本电脑、超极本、平板电脑和电子阅读器。

“SP3222系列可提供极低的动态电阻,确保在各种电流分布下发挥出色的箝位性能,从而提供更优越的ESD保护。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示, “该系列瞬态抑制二极管阵列在8kV ESD条件下的允通电压不超过40V,可提供出色的电压响应,这对于保护小型敏感芯片组尤其重要。”

SP3222系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势:

- 低峰值电压(8kV ESD条件下标称电压低于40V)可提供最低的允通电压,从而快速有效地保护小型敏感芯片组。

- 极低的动态电阻(0.17 ohms)可确保卓越的传输线脉冲(TLP)性能,这是保护几何尺寸为28nm及以下芯片的一个关键要素。

- AEC-Q101认证意味着其能够在比预期工作环境更加恶劣的条件下持续工作。

- 工业标准SOD-883封装可降低整体成本,并保证较高的产品供货能力。

 

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