开关电源EMI辐射部分整改对策

30-50MHz 普遍是MOS 管高速开通关断引起。

1.可以用增大MOS 驱动电阻;
2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;
3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;
6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小;
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50-100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起。

1.可以在整流管上串磁珠;
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点)。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

 

200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。

 

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