抑制RF噪声和EMI的方法和技巧

最适合的器件

与TTL和ECL(双极)相比，CMOS器件更高的速度导致了更高的击穿电流，因此它在RFI和辐射方面的表现通常更差。当逻辑门的输出改变状态时，流过的大电流使杂散电容放电，这将产生可被耦合到下一个门和电路的其它部分的噪声电压。这个噪声像振铃，在门的输出端添加一个小电阻可以减弱振铃。

电容负载可比电阻负载吸引更多电流。运算放大器输出端的大电容负载可以造成剧烈的振铃，就像在数字门一样。简单的解释是：放大器的输出阻抗和负载电容形成了一个极点，造成运算放大器在频率响应的高Q值或者峰值。这可降低相位裕度并产生振荡。

图1是运算放大器带2nF电容负载时的方波输出，信号里具有清晰可见的振铃


有两种方法可以消除振铃。第一个电路更适合需要宽动态范围的应用(图2a)。增加的RC网络(RS和CS)并不能减少输出摆动。这个实现被推荐用于非轨到轨输出运算放大器。


图片2b给出另外一种办法。除了能处理大电容负载以外，这个电路还能在运算放大器的输出端过滤噪声。可是，由于在反馈环路中插入了阻抗(RS)，输出摆动减少了。因此，这个方法更适合用于轨到轨输出运算放大器。