如何设计更高能效、极低EMI准谐振适配器

 值得一提的是，NCP1380提供A、B、C和D等不同版本，用以满足客户不同的保护需求。例如，四个版本均提供过压保护功能，而其中NCP1380A和NCP1380B提供过温保护，NCP1380C和NCP1380D提供输入过压保护；另外，NCP1380A和NCP1380C提供过流保护闩锁，而NCP1380B和NCP1380D提供过流保护自动恢复功能。此外，NCP1380A和NCP1380B在同一引脚上结合了过压保护和过温保护功能，而NCP1380B、NCP1380D及NCP1379在同一引脚上结合了过压保护和输入欠压保护功能，这样就减少了外部元件需求。

 应用设计过程

假定我们的目标电源规格为：输入电压85至265 V_rms，输出电压19 V，输出功率60 W，最小开关频率45 kHz(输入电压为100 Vdc时)，采用600 V MOSFET，230 V_rms时待机能耗低于100 mW。这样，我们可将应用设计过程分解为多个步骤。

 1)     准谐振变压器参数计算

匝数比：  
初级峰值电流：

 初级电感：

最大占空比： 

初级均方根(RMS)电流：

次级均方根(RMS)电流：

2)     预测开关频率

负载下降时，控制器会改变谷底。问题在于如何才能预测负载变化时开关频率怎样变化。实际上，功率增加或减小时，控制器用以改变谷底的反馈(FB)电平也不同，正是借此特性提供谷底锁定。知道反馈电平阈值后，我们就能够计算开关频率的变化及相应的输出功率。通过手动计算或使用Mathcad电子表格，我们就可以解极出最大开关频率。

                                              图3：预测开关频率

3)     时序电容值(C_t)计算

在VCO模式下，开关频率由时序电容(C_t)完成充电而设定，而C_t电容的充电完成受反馈环路控制。由准谐振模式的第4个谷底向VCO模式过渡时，输出负载轻微下降。要计算C_t电容值，先要计算第4个谷底工作时的开关频率，并可根据反馈电压(V_FB)与时序电容电压(V_Ct)之间的关系计算出V_Ct的值为1.83 V。然后，根据等式C_t=I_CtT_sw,vco/1.83，可以计算出C_t的值为226 pF。我们实际选择的的200 pF的C_t电容。