摘要：电容在EMC设计中应用最广泛的元件之一。实践表明：在EMC设计中，恰当选样与使用电容解决许多EMI问题。但是，若电容的选择成使用不当，则可能根本达不到预期的目的，甚至会加剧EMI程度，根据EMC设计原理和不同结构电容的特点，结合相关研究的新进展，针对电容在EMC设计中的一些不恰当的认识与做法，讨论了电容在EMC设计中的应用技巧，对EMC设计具有指导作用。
关键词：去耦电容，电容滤波器，电磁兼容， EMI
在EMC设计中，电容是应用最广泛的元件之一，主要用于构成各种低通滤波器或用作去耦电容和旁路电容。大量实践表明：在EMC设计中，恰当选择与使用电容，不仅可解决许多EMI问题，而且能充分体现效果良好、价格低廉、使用方便的优点。若电容的选择或使用不当，则可能根本达不到预期的目的，甚至会加剧EMI程度。
本文根据EMC设计原理和不同结构电容的特点，结合相关研究的新进展，针对电容在EMC设计中的一些不恰当的认识与做法，讨论了电容在EMC设计中的应用技巧。对EMC设计具有指导作用。
1. 滤波器结构的选择
EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。不同结构的滤波器的主要区别之一，是其中的电容与电感的联接方式不同。滤波器的有效性不仅与其结构有关，而且还与连接的网络的阻抗有关。如单个电容的滤波器在高阻抗电路中效果很好，而在低阻抗电路中效果很差。
传统上，在滤波器两端的端接阻抗为50欧姆的条件下描述滤波器的特性(这一点往往未被注意)，因为这样测试方便，并且是符合射频标准的。
但是，实践中源阻抗Zs和负载阻抗Zi很复杂，并且在要抑制的频率点上可能是未知的。如果滤波器的一端或两端与电抗性元件相联结，则可能会产生谐振，使某些频率点的插入损耗变为插入增益。
可见，正确选择滤波器的结构至关重要。究竟是选择电容、电感还是两者的组合，是由所谓的"最大不匹配原则"决定的。简言之，在任何滤波器中，电容两端存在高阻抗，电感两端存在低阻抗。图1是利用最大不匹配原则得到的滤波器的结构与ZS和ZL的配合关系，每种情形给出了2种结构及相应的衰减斜率(n表示滤波器中电容元件和电感元件的总数)。
但是，如何判定Z，和乙的值是高或低，一些资料上并未作具体说明[1,2]，实践中也往往不清楚。
Zs和ZL的所谓的高值或低值的临界选取有一定的随机性，选取50n作为边界值是比较合适的。
顺便指出，在电子电路中，因信号一般较弱，而RC低通滤波器对信号有一定的衰减，故很少使用。
2. 自谐振频率与截止频率
2．1 去耦电容的自谐振频率
实际的电容都有寄生电感Ls。Ls的大小基本上取决于引线的长度，对圆形、导线类型的引线，上'的典型值为10nH／cm[3]。典型的陶瓷电容的引线约有6 mm长，会引入约15nH的电感'"。引线电感也可由下式估算[4]:
其中：／和r分别为引线的长度和半径。
图1 滤波器的结构和ZL的配合关系
寄生电感会与电容产生串联谐振，即自谐振，在自谐振频率fo处，去耦电容呈现的阻抗最小，去耦效果最好。但对频率f高于f／o的噪声成份，去耦电容呈电感性，阻抗随频率的升高而变大，使去耦或旁路作用大大下降。实践中，应根据噪声的最高频率fmax来选择去耦电容的自谐振频率f0，最佳取值为fo=fmax。
