测量结果表明，直接放在接地板上的PDA充电到6,253V，而位于0.9cm绝缘层上的PDA充电到7,381V。这些数据分别对应于两种情况下的41.9pF和12.6pF电容。利用1kHz电感、电容和电阻计,对直接放在接地板上的PDA进行电容测量，结果是34pF。鉴于测量技术的不同，这个结果相当合理。
测量表明，来自ESD qiang的电流在电子系统承受ESD冲击期间是可测量的。在本例中我们发现，像PDA或手机等便携式系统上的冲击能量要比源自ESD qiang的全部冲击能量要小得多。
一个简单电路模型和基于测量电流的计算可以生成许多有用的信息，如转移到被测系统的电荷、系统升高的电压以及系统接地电容的近似值。在初始电流尖峰中的峰值电流不会像余下电流波形一样降得那么多。
这个结果与模型也是一致的。在这个模型中，PDA的接地电容提供了初始电流尖峰的低阻抗到地路径。这种测量技术可以用在空隙放电的情况，只要到电流探头的意外放电不被解释为到被测设备的放电。
