电源中的EMI
高频开关式脉冲宽度调制(PWM)AC/DC和DC/DC电源转换器因其效率高、体积小，现已成为大部分系统的首选电源。可是，这类转换器也有一个不足之处：它会在开关频率和谐振频率下产生传导性和辐射性的电磁干扰(EMI)。假如不滤除EMI电流和电压，那它们便会损害到转换器的电源并干扰使用同一个电源的其他设备。辐射性EMI会影响和干扰正在附近工作的设备。很多时候，EMI的影响导致转换器违反FCC和CISPR等订立的规范。本文将探讨目前常用的减弱EMI的解决方案，然后介绍应用日趋增长的扩频技术。
固定频率开关和EMI
在大多数的设计中，PWM转换器在一固定的频率下进行开关。这么设计有若干优点，其中一个优点就是传导性EMI衰减输入滤波器的设计比起可变频率系统的衰减输入滤波器的设计要更容易些。因为滤波器组件无论在任何的操作条件下都可在清晰定义的频率下处理电流。
然而，转换器的输入电流仍然可使它违反传导性EMI的限制。要清楚理解这个问题，请考虑图1中的典型DC/DC反激转换器。假设连续的传播都不会减低其一般性，那MOSFET电流便呈现梯形状，这是由于有傅里叶在开关频率和其谐波处渗入到了成份内。这些傅里叶成份如果流入转换器的电源便会超出业界规范的限制。
此外，由于电压和电流波形在开关频率下的边缘很尖锐，因此电源将会在开关频率fs和其谐波时放射出电磁能量。这些辐射性放射(即使是从一个低瓦电源放射出来)可损害包含有灵敏电路的小型电子系统，使在附近的电路发生故障。
减弱EMI的几种常规技术
这里有几种方法可减弱EMI的影响。
对于传导性EMI来说，开关电流必须经输入电容和输入EMI滤波器进行低通滤波，使它们可在到达电源时被大幅衰减。可是，这种过滤并不彻底，而且经常会遗留一定程度的开关电流使得系统不能通过传导性的EMI测试。
使用在MOSFET和二极管电源开关中的辐射性EMI缓冲器可以减慢开关波形的上升和下降时间，并整形谐波电流和电压的频谱，以使系统更易符合规格标准。另一方面，缓冲器会消耗一些能量，使得辐射性放射出来的能量减少，降低电源的效率。
另一种减弱EMI的方法是将电源放置在一个金属箱内以封锁辐射性噪声，或可以将受影响的设备密封或与产生噪声的电源隔离。这两个方案可以相互替代，也可以一起配合使用。辐射性EMI也可通过改善电源的布局来降低。这些技术的操作原理已在图2中说明，当中采用了输入滤波器、缓冲器和金属箱。其中C1、L1和C3组成了一个输入滤波器，而D3和D4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰。分别由R2和C4以及R3和C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃。
上述方法都旨在减少所产生出来的整体EMI能量。但是除了最后一种方法外，大多数方法都会使电源供应器的尺寸加大，成本更高和复杂性更大，效率也会降低，甚至得不偿失。
