7.4 高频信号传输线路中ESD 保护
随着线路数据传输速度的不断提高，保护抑制器电容带来的影响，成为静电放电保护设计中不容忽视的问题。合理的参数选择对保证信号的稳定性和完整性十分重要。对于低频电路，大的保护抑制器电容是有益的，因为它可以滤去高频干扰而使低频信号顺利通过。而对于高频电路则完全相反，大的保护抑制器电容会导致信号恶化，降低电路对信号的识别能力。在通用串行总线标准USB 2.0 所支持的最高传输率为480 Mbps 的数据传输线中，加入电容量仅为10pF 的ESD 保护抑制器，就足以使其信号的上升和下降时间增加140%，从而限制了它们的线路应用。
在高速信号线，如果是USB2.0 接口和IEEE1394 中，它们的电容量分量可使波形衰退，从而限制了它们的线路应用。
因此，高频信号传输线路中的ESD 保护器必须具有足够小的电容量，以保证传输数据的连续和完整，这必然要求片式压敏电阻向低电容化的方向发展。
目前，片式压敏电阻的标准电容值为数十pF 到几千pF不等，可适用于从普通的音频、视频信号到符合USB1.1 标准，即数据传输率最高为12Mbps 的电子线路。可以考虑在原料中添加Sb2O3 以降低材料表观电容率和在片式压敏电阻内部设计制作串联微间隙，来降低片式压敏电阻的电容量。
电容量小于3pF 的多层片式压敏电阻器、符合IEC 61000-4-2 标准中规定的静电放电试验时的接触放电和空气放电4 级水平的要求，可以用在USB2.0 接口和IEEE1394 中。随着设备频率的增加，ESD 保护器元件还需要进一步降低其电容量。
7.5 片式压敏电阻器参数选取
（1）最大直流工作电压Udc
压敏电阻器的最大直流工作电压Udc 必须大于信号线的直流工作电压Un，即Udc ≥ Un。
（2）电容Cp
适合不同频率信号，对于高频传输信号，电容Cp 应小些，反之亦些。
（3）瞬态电阻匹配
压敏电阻瞬态电阻Rv 与被保护元器件及IC 线路等效内阻R（R ≥ 2Ω）匹配关系：Rv ≤ 1/5R。对于内阻较小的被保护元器件，在不影响信号传输速率的情况下，尽量采用大电容压敏电阻。
（4）空间位置
因地制宜，选取合适尺寸的压敏电阻。
（5）放置位置
接近过电压及ESD 源，即离接口部位越近越好。
（6）接地设计
良好的接地，尽可能大的接地面积。
表13 列出了推荐电容选择。
8 结束语
静电放电保护，包括ESD 浪涌抑制静电过电压、吸收浪涌能量、抑制浪涌噪声、高频信号传输线路信号的稳定性。片式氧化锌压敏电阻器具有快速反应速度，与反应后的低导通阻抗，唯有如此才能提供低箝制电压来保护系统的正常运行。通过严格的IEC 61000-4-2 标准规定的静电放电试验时的4 级水平要求，即接触放电8kV 和空气放电15kV 的ESD 吸收能力，可以达到优良的静电放电保护效果。
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