变压器屏蔽有助于减小初级线圈和次级线圈之间的寄生电容，屏蔽层插入到初级线圈和次级线圈之间，并连接到储能电容的正极。由于屏蔽层更靠近次级线圈，因此次级线圈的GND与屏蔽层之间的寄生电容要大于次级线圈的GND与辅助绕组之间的电容。因此在雷电冲击试验时，雷电冲击电流更可能通过屏蔽层流入储能电容的正极，而不会流入初级线圈的GND，从而对ICGND造成影响。

    其他

    大多数的IC管脚上有一个滤波电容，来抑制由雷击所引起的RF噪声。这一电容应尽可能地靠近IC引脚以得到更好的性能。

    一些像ICE3A(B)S02这样的IC上集成了启动单元。如图3所示，雷击电流也可能会流入储能电容的正极。如果启动单元的引脚直接连接到了储能电容的正极上，则冲击噪声将会通过在储能电容正极与启动单元相连的PCB引线发射出去。因此必须使这根引线尽可能细，并与其它的小信号引线保持足够的距离。如果无法满足上面的要求，则可以在储能电容的正极和启动电路单元的引脚之间连接一个100kW的电阻。