试制面板使用的TAOS-TFT，是将源电极和漏电极设在沟道侧面的同一平面(coplanar)型，沟道材料为非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)。AUO在演讲中出示的TAOS-TFT试制结果显示，以栅极宽度和长度分别为22μm和5μm的元件，实现了载流子迁移率10～13cm2/Vs，开/关比108以上的良好特性。即便是经常碰到的TAOS-TFT元件特性不稳定问题，也通过在IGZO成膜后实施N2O等离子处理以及改善钝化方法等使其得到了控制。