假设图1中直流侧两个电容等容量，且电压相等，均为Vdr／2。则A相桥臂输出电压(以0点为参考点)与开关状态的关系如表1所列，(其中1表示开关接通，O表示开关断开)，可见每相均可以输出+Vdr／2，O，一Vdr／2三个电平。
2 系统抗干扰原理与方法
要构成电磁干扰需要满足3个条件：干扰源、噪声耦合途径、被干扰设备。耦合途径包括传导耦合和辐射耦合两种。前面已经指出由于三电平逆变器系统的复杂结构，会受到来自系统外部和系统内部自身的干扰，下面主要讨论系统中的传导耦合，并从硬件和软件两个方面给出有效抗干扰措施。
2.1 硬件抗干扰措施
2.1.1 电源输入端口的抗干扰措施
供电电网输入端口处的干扰主要是传导干扰，包括两方面：一是电网上的干扰通过电源线引入设备，这种干扰可以是来自供电网其他设备产生的传导性干扰，也可以是空间的电磁波在电源线上产生的共模干扰；另一方面主要是由于整流电路本身产生的谐波干扰和电磁噪声，以及由它供电的后级电路产生的电磁噪声以传导耦合形式导入电网，对同一电网内的其他设备产生干扰。
辅助电源均采用高频开关电源，由于采用了PWM技术，所以其开关器件工作在高频通断状态，这种高频的快速通断过程便会产生高频噪声，并在负载上直接传导电磁噪声(共模、差模两种噪声传导方式)，严重影响数字控制系统正常工作。
EMI滤波器可以抑制因瞬态噪声或高频噪声措成的干扰．是解决传导干扰十分有效的方法。
通常所用的EMI滤波器结构如图3所示，其中C1。C2是差模电容L1，L2是共模电感，C3、C4、C5、C6是共模电容。
但是，这种EMI滤波器结构自身存在着明显的不足：由于两个差模电容C1，C2自身有寄生电感，所以两个寄生电感之间会产生耦合，而且它们又会与共模电感产生耦合。这样，在高频范围会严重影响EMI滤波器的性能。为此，我们采用了改进的结构，如图4所示。
在改进的EMI滤波器结构中，两个差模电容采用X型连接，这样做的好处是可以大大减小甚至消除电容中寄生电感引起的耦合，极大地改善了EMI滤波器的高频性能。
2. 1.2 主功率电路抗干扰措施
1)采用BUSSBAP结构设计 直流母线采用BUSBAR结构设计，即采用铜板或铜条代替导线，使直流母线平行导体化，这样可以降低配线电感，减小因其产生的干扰。同时，对抑制IGBT通断时的浪涌申压和dv／df也有效果。
