静电分析：
类似的，当控制侧接口受到静电放电时，由于控制侧悬空，能量只能通过隔离栅的等效电容Ciso进行泄放，由于Ciso非常小，两端电压Viso会非常高，如图 6。电压全部施加在隔离接口模块的隔离栅，若电压超出了隔离栅的电压承受范围，则会导致内部隔离栅损坏。
图 6
当总线侧接口受到静电放电时，静电能量通过隔离接口模块内部总线侧器件泄放至PE，如图 7。若ESD能量超出了接口模块内部总线侧器件的ESD抗扰能力，总线接口则可能损坏。
图 7
改善方法：
类似的，在隔离栅并联增加一个电容Cp，可以为来自控制侧的静电能量提供一个低阻抗的路径。如图 8，控制侧的静电能量大部分通过此电容泄放至PE，从而起到保护隔离接口模块的作用。若无安规要求，可与Cp并联一个大阻值泄放电阻，如1M，以防静电积累。
图 8
对于总线侧的静电，可以在总线侧增加高等级ESD防护器件(如TVS管)，静电能量会通过防护器件泄放至PE，由此来提高总线侧的静电能力，如图 9。TVS选型时需注意，其导通电压必须小于隔离接口可承受的最大电压，同时大于信号电压;在通信速率高、或节点数较多时，也需要注意尽量选取等效电容小的器件，以免影响总线正常通信。
图 9
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