LDO需要增加外部输入和输出电容器。利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高电源抑制比(PSRR)、噪声以及瞬态性能。陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。输出电容器的等效串联电阻(ESR)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10 mΩ量级 采用陶瓷电容时，建议使用X5R 和X7R电介质材料，这是因为它们具有较好的温度稳定性。图为X5R的ESR和频率曲线。

　　如图为输出电容对PSRR的影响。大电容器一般在一定频率范围内会提高电源抑制比(PSRR)

　　为射频电路选择LDO时，要慎重比较噪声指标，和电源抑制比(PSRR)，确保旁路电容、输出电容和负载条件一致。新型音频电路，如免提电话、游戏机、MP3及蜂窝电话中的多媒体电路，可能需要300mA-500mA的大电流LDO，LDO要在音频范围（20Hz至20kHz）应具有低噪声、高PSRR特性，以保证良好的音质。