据韩媒ET News报导，SK海力士未来技术研究院首席李弼秀(音译)，日前于首尔出席ET News与韩国半导体研究协会共同主办的“半导体尖端封装技术研讨会”，并在其间发表上述消息。

半导体芯片过去以屏蔽罩方式阻断EMI，近来随着半导体芯片性能提高，渐走向个别芯片均需EMI遮蔽处理，如此可预防芯片间电磁干扰引发的异常动作，电路板也可设计得更加精密，芯片间距缩小后多出来的空间，可用于扩充电池容量，延长产品待机时间，然而增加新工艺将会提高主要芯片生产成本。

苹果(Apple)相当早就尝试，从2012年9月推出的iPhone 5开始，就要求用于iPhone的NAND Flash封装，必须要有防电磁波干扰遮蔽技术。他们试过将iPhone里搭载的个别半导体一一进行封装后，试图增加EMI遮蔽工艺。由于三星电子无法满足苹果的规格要求，之后苹果便未采用三星电子生产的NAND Flash存储器，如今三星有意重启对苹果供应NAND Flash，这项技术能否实现至关重要。

 2016年上市的Google Pixel手机，其无线区域网路芯片据说也采用EMI屏蔽处理，李弼秀认为，将个别半导体芯片进行EMI遮蔽的需求将会持续增加。

SK海力士与Ntrium、Duksan Hi-metal共同开发液体(Ink)型态EMI遮蔽物质，目前正在实验量产的可能性；另一方面，三星也从2016年初便开始与韩华化学(Hanwha Chemical)合作，开发液体型态EMI遮蔽物质，韩华则以银与纳米碳管(CNT)进行合成。若韩国记忆体业者有能力直接进行EMI遮蔽工艺，势必将影响日月光EMI遮蔽工艺的工作量。

李弼秀最后表示，在记忆体领域中，EMI遮蔽需求虽然提高，但溅镀方式也会随着供给改变而有不同。SK海力士一旦结束实验并且投入量产，势必会尽量满足市场的需求。