2．反射损耗R
  在两种介质的交界面的反射损耗-9两种介质的阻抗特性有关，从具有阻抗Z播波强度为：

一般的，当入射波频率增加时，由于zs的增加反射损耗将下降。

四、屏蔽作用

1．电场的屏蔽
   当干扰源为高电压低电流时，其波阻(zw)大于377l'1，这个场是高阻抗的电场。因此，相对而言，电场的反射损耗R较大。为了更好地屏蔽电场，应当采用高电导率、低导磁率的材料(如铜、铝等)，以进一步降低屏蔽阻抗(zs)，加大反射损耗，提高屏蔽效果。

  同时，对电场源，其阻抗Z >>Z ，大多数人射波在界面被反射，故电场屏蔽中吸收损耗较小，主要为反射损耗；同时电场在屏蔽体内的多次反射可以忽略，即不考虑修正因子B的作用。

2．磁场的屏蔽
    当干扰源为低电压高电流时，其波阻(Zw)小于377l'1，这个场是低阻抗的磁场。但此时仍有Zt>>Z：，大多数人射波将进入屏蔽介质，同时由于波阻相对较小，因此，相对而言，磁场的吸收损耗A较大。为了更好地屏蔽磁场，应当采用低电导率、高导磁率的材料(如钢、镍合金等)，尤其是在屏蔽低频磁场时。

   在磁屏蔽中一个重要的问题是磁饱和。当源场强超过饱和强度时，屏蔽介质的导磁率迅速降低，而且导磁率越高的介质产生饱和所需的外场强愈低，从而大幅降低屏蔽效果。

   为克服磁饱和现象，可采用多层屏蔽，即采用低磁导率材料作为外层以在高场强下饱和，采用高磁导率材料在相对低场强下饱和(如以铜材料为外层、铁磁材料为内层)。这样，使外层降低源场强，使第二层屏蔽体在非磁饱和状态下起到大部分屏蔽作用，从而完成磁屏蔽功能。

3．缝隙与孔洞
    上述屏蔽效果的讨论是建立在屏蔽壳体为无缝隙的基础上的，然而实际的屏蔽体不可能达到这一要求。影响屏蔽体屏蔽效能的通常有两个因素：一个是整个屏蔽体表面必须是导电连续的。另一个是不能有直接穿透屏蔽体的导体。

   屏蔽体上有很多导电不连续点，最主要的一类是屏蔽体不同部分结合处形成的不导电缝隙。这些不导电的缝隙就产生了电磁泄漏，如同流体会从容器上的缝隙上泄漏一样。解决这种泄漏的一个方法是在缝隙处填充导电弹性材料，消除不导电点。这种材料就是电磁密封衬垫(EMI衬垫)。

    缝隙或孑L洞的泄漏量取决于缝隙或孑L洞相对于电磁波波长的尺寸。当波长远大于开口尺寸时，并不会产生明显的泄漏。因此，当干扰的频率较高时，这时波长较短，就需要使用电磁密封衬垫。具体说，当干扰的频率超过10MHz时，就要考虑使用电磁密封衬垫。由此也可推论，一组小孔产生的泄露小于同面积的一个大孑L。
 
五、结语

    电磁兼容性概念及相应设计在我国是一门很崭新的科学，电磁兼容性EMC的相关标准还很不完善，很多测试方法或定量分析方法、新的电磁兼容性EMC设计理论还有待创立。本文希望所探讨的内容能对这一方面的研究有所裨益。