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浅析电磁辐射的整体屏蔽设计

2013-02-025380安规与电磁兼容网

电磁辐射现象是指大功率发射设备所产生的电磁辐射对人体的伤害和对电子设备正常工作的干扰。天然的电磁辐射来源于地球的热辐射、太阳热辐射、宇宙射线和静电等;人工电磁辐射来源广泛,既可以来自于高压线、变电站、电台、电子仪器、医疗设备、激光照拍设备和办公自动化设备的运行,也可以来自于微波炉、电视机、手机、空调、电热毯和收音机等家用电器的使用。

电磁辐射场一般分为近区场和远区场。以场源为中心,在1个波长范围内的区域,通常称为近区场;反之,在1个波长范围以外的区域,通常称为远区场。两种区场有着不同的特点:在近区场中,电场强度与磁场强度的大小没有确定的比例关系,一般情况下,对于电压高电流小的场源,如发射天线、馈线等,电场要比磁场强得多;对于电压低电流大的场源,如某些感应加热设备,磁场要比电场大得多。在远区场中,所有电磁能量基本上以电磁波的形式辐射传播,这种场辐射强度的衰减要比感应场慢得多。在远区场,电场与磁场强度有如下关系:E=377H,电场与磁场的运行方向互相垂直,并且都垂直于电磁波的传播方向。远区场为弱场,其电磁场强度均较小。

近区场的电磁场强度比远区场大得多,电磁辐射对人体造成影响和损伤主要在近区场。本文拟就近区场范围内电磁辐射防护的整体屏蔽设计提供一定的思路做法。

电磁辐射防护的整体屏蔽设计

某雷达天线工程,发射频率为1~3GHz。工作人员需在地下工作大厅内24h工作,工作大厅面积约为800~1000m。要求进行人员安全防护的全屏蔽设计。设计要求,屏蔽场所内电磁屏蔽效能不小于50dB;微波辐射功率密度不大于10I.LW/cm。设计前首先要考虑采用的安全指标标准及施工、检测标准。

现有国家标准有:GB8702-1988《电磁辐射防护规定》、GB10436-1989(作业场所微波辐射卫生标准》、GJB/Z25—1991《电子设备和设施的接地、搭接和屏蔽设计指南》、sJ31470-2002《电磁屏蔽室工程施工及验收规范》及GB12190-1990《高性能屏蔽室屏蔽效能的测量方法》。

案例分析:事实上本设计案例中将工作大厅设于地下就已经考虑了电磁辐射对人员的伤害问题,为了将电磁辐射降到最低,业主提出了要对工作大厅进行全屏蔽的设计处理。我国对小范围的屏蔽室设计、施工均有一定经验,效果也能保证,但对案例中的有较多工作人员进出、大量的大口径的进出管线处理、大面积屏蔽区的屏蔽效能要求,如此复杂的情况比较少见,有相当难度。

设计思路:采用多层屏蔽的设计思路,对工作大厅进行整体屏蔽设计,把住各种出入接口的防泄漏措施。进出管线相对集中并利用滤波、接地等技术进行处理,保证屏蔽效果。

1屏蔽作用的简单介绍

电磁波遇到金属表面总要发生屏蔽效应,电磁波能量的一部分向干扰源方向反射,另一部分在金属内耗散,剩余部分穿过该金属部分向前继续传播。这种屏蔽效应可分别看作是入射电场与磁场使屏蔽体表面感应电荷,并在屏蔽体内感应出电流的结果。感应电荷和电流的极性与方向应使其伴生的电场和磁场抵消入射场,从而削弱穿过屏蔽体的电磁场。

2整体屏蔽设计

一个设备或组件屏蔽壳体的屏蔽效能由若干参数决定,其中最主要的参数是入射波的频率和阻抗、屏蔽材料的固有特性以及屏蔽体不连续性的形式和数量。屏蔽体的屏蔽效能由该屏蔽体对电磁场强度的减弱程度确定。屏蔽效能sE定义为同一地点无屏蔽体存在时的电磁场强度与加屏蔽体后的电磁场强度之比

SE=20lg(El/E2)

或SE=20lg(H。/H2)

式中,E。和日.是无屏蔽体时的电场强度和磁场强度;E:和日:是在同一地点加屏蔽体后的电场强度和磁场强度。

 

根据GB8702-1988本工程设计仅考虑电场强度。屏蔽效能由三个因素决定:吸收损耗、反射损耗和多次反射修正项。本工程设计总屏蔽效能是由吸收损耗、反射损耗两者之和,本工程设计中反射修正项可以忽略不计。

从已有工程经验看,在100kHz以上的频率范围,单层屏蔽要达到40dB的屏蔽效能是容易实现的。本屏蔽设计则采用了双层屏蔽,能很好地达到要求。但屏蔽效能的精确计算,即使采取完善装接的实心屏蔽体设计,也是有一定困难的。对关键部位,还应通过实验来检验屏蔽效能。

在整体屏蔽设计中,首先优先利用建筑结构钢筋网的固有屏蔽作用,即本设计要求的第一层屏蔽设计,参照XQ2-2ooo要求,建筑物内外墙结构钢筋设置成不大于200mmX200mm的网格,并每隔1m左右将钢筋点焊成整体。非屏蔽区进出风口(窗)加设不大于10mmX10mm的金属网。此要求主要满足了防小动物进入要求,可兼作工作大厅的屏蔽,除需进行接地外不做特殊处理。屏蔽区如有进出风ISl,要求采用通风波导窗。根据GJB/Z25,屏蔽网的屏蔽效能计算需进行下列计算:

(1)各屏蔽孔径(相当于许多叠加在一起的截止导波)的衰减效应。

(2)窗孔几何形状的反射损耗。

(3)发射天线与屏蔽体的距离远大于屏蔽体上孔间距离时的总开孔面积。

(4)集肤深度。

(5)邻近孔之间的耦合。

其屏蔽效能只能做近似估算。但根据GJB/Z25中图125可知,铜屏蔽网随着网孔的减小屏蔽效能增加;同时由表41可知电场作用下屏蔽网孔基本与频率无关。如果要求衰减的标称值大于50dB,则栅网孔眼的尺寸应不大于用0.38mm铜线制成的、22目铜网的孔眼。第一层屏蔽的作用是有限的,设计考虑的目的是在所花代价很小的前提下,尽量削弱电磁辐射强度。

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