丰富多媒体业务推动3G手机中LCD显示屏和照相机的分辨率走上一个又一个新台阶。不过，将显示屏和照相模块连接到基带电路或者多媒体处理器之间的接口设计将面临更严重的ESD、EMI问题。下面讨论的来自意法半导体(ST)的方案将有助于解决这个问题。

丰富多媒体业务推动3G手机中LCD显示屏和照相机的分辨率走上一个又一个新台阶。不过，将显示屏和照相模块连接到基带电路或者多媒体处理器之间的接口设计将面临更严重的ESD、EMI问题。下面讨论的来自意法半导体(ST)的方案将有助于解决这个问题。

为解决这些问题，有些显示器厂商、半导体厂商和相机模块厂商都开发了高速串行总量技术来帮助设计工程师从繁杂的并行总线设计中解脱出来。

根据串行总线的信号传输速度选择TVS二极管是设计高效ESD保护功能的关键之一。基本上，信号的数据传输速率越高，ESD保护二极管的电容就要求越低。 因此，必须把保护组件在电流信号上产生的干扰降至最低。这与TVS二极管的寄生电容有直接的关联。

两条数据线路之间的差分电容均衡性是设计人员必须考虑的另一个特性。因此设计人员可以给电容参数差量极小的数据线路 
设计极其相似的组件。这是硅二极管的一个十分显著的优点，因为变阻器的电容偏差大约10%到20%。

在某情况下，ESD问题并不是工程师要解决的唯一问题。因为手机发射和传送RF信号时，很多电子组件受到RF辐射，因此，必须抑制RF辐射以保护正常的工作。甚至在某些情况下，某些IC自己也会产生RF辐射以及射频干扰。
 

LCD或相机模块都会容易受到脉冲的攻击，产生能够听见的噪声或可以看见的屏幕抖动。这就是在设计手机时强烈推荐EMI滤波器的原因。 在某种意义上，EMI辐射抑制已成为下一代手机如多频手机或3G手机的关键问题，因为现有解决方案即将达到技术极限。