图4(b)是电容耦合技术应用于输入级ESD防护电路上的一种安排，GCNMOS(Gate-Couple NMOS)是ESD电流旁通用的器件，尺寸较大。

　　因应用在输入端，故其栅极需经电阻Rg(～10 kΩ)接地，以使该GCNMOS在CMOSIC工作时是关闭的。另有-NMOS连接成电容状Cc加强电容耦合作用。当有正的ESD电压在输入PAD上发生时，一部分的正电压会经由Cd与Cc耦合到GCNMOs的栅极，栅极电压会经由Rg放电到地去，Rg的大小会影响栅极电压的维持(Holding)时间。GCNMOS因而可以达到均匀导通的目的，以提升其ESD防护能力。

　　3 结 语

　　MOS集成电路ESD保护电路基于工艺级别、器件级别和电流级别的改进，已有大量优秀的ESD保护电路出现，ESD保护电路强度已超过2 000 V(采用HBM模型试验)。几种方法结合制造的ESD保护电路，如采用栅耦合PTLSCR／NTLSCR ESD保护电路，可有效的对深亚微米CMOS IC薄栅氧化层保护，而且占用的版图面积只占传统ESD保护电路的1／2左右。