在上述手机高分辨率显示屏和相机接口等数据应用中，还可以采用高速LC滤波器，如安森美半导体的NUF2900MN。与传统RC滤波器相比，高速LC滤波器的截止频率更高、宽频衰减更大、插入损耗更低。如NUF2900MN的典型截止频率为350 MHz，在800 MHz至6.0 GHz频率时提供大于-30 dB的衰减，插入损耗性能也更具优势，参见图4。

图4：典型RC EMI滤波器与高速LC EMI滤波器(NUF2900)的响应性能比较。

值得一提的是，手机中的高带宽应用越来越多，显示屏尺寸更大且分辨率更高，而且空间受限，推动并行数据转向串行数据，解决方案就是采用低压差分信令(LVDS)来串行MDDI、MPPI、USB 2.0和uSerDes等数据，相应地采用共模扼流圈(CMC) EMI/RFI滤波器，通过高带宽差分信号，同时滤除不需要的共模EMI/RFI信号。在这方面，可以采用安森美半导体的NUC2401MN高速串行数据滤波器。这是业界首款集成超低电容(0.8 pF) ESD保护和共模滤波技术的CMC滤波器，采用小型2.0×2.2 mm DFN封装，单颗元件适合USB2.0(480 Mbps)、IEEE1394(400 Mbps)、MDDI(最高550 Mbps)、MIPI(最高1.0 Gbps)和HDMI 1.2(每通道最高1.32 Gbps)等多种高速设计，为这些应用消除共模噪声，提供纯净的数据流。

图5：带超低电容ESD保护的集成CMC滤波器NUF2401MN用于USB2.0等高速应用。

值得一提的是，NUC2401MN与电容同样低于1 pF的硅竞争器件相比，提供更优异的ESD钳位性能，非常适合高速数据线路的EMI滤波及ESD保护应用。

总结

手机等便携设备随着数据率及时钟频率的提高，越来越需要高性能的EMI滤波与ESD保护方案。安森美半导体身为全球领先的高性能、高能效硅方案供应商，提供新的集成型EMI滤波器，在提供优异的EMI/RFI滤波性能的同时，还提供符合IEC61000-4-2 4级标准的ESD保护功能，以单颗IC替代10颗甚至数十颗分立元件，非常适合手机等便携应用中的音频及数据线路应用。