但是，一些资料上只是从电容的寄生电感的角度给出了自谐振频率fo的资料。实际上，去耦电容的自谐振频率不仅与电容的寄生电感有关，而且还与过孔的寄生电感[5]、联结去耦电容与芯片电源正负极引脚的印制导线的寄生电感[6.7]等都有关系。如果不注意这一点，查得的资料或自己的估算往往与实际情况相去甚远。

图2 电源滤波器

　　实践中，一般是先确定去耦电容的结构(电容的寄生电感与其结构关系密切)，再用试验的方法确定容量。

　　2．2 电源滤波器的钓自谐振频率

　　在交流电源进线与电源变压器之间设置电源滤波器是抗EMI的常用措施之一。常用的电源滤波器如图2所示。人们一般对去耦电容的自谐振频率问题比较注意，实际上电源滤波器也有自谐振频率问题，处理不当，同样达不到预期的目的。

　　对图2所示的滤波器，分析可知，当电感的电阻rL很小时，自谐振频率分别为：

　　设计电源滤波器时，必须使滤波器的自谐振频率远小于噪声频率。处理不当．不仅不能衰减噪声，反而会放大噪声。

　　例如[8]图2(a)所示的滤波器，如果取L＝1 mH，rL＝1欧姆，C＝0．47 uF(这也是许多资料上推荐的参数)，可算出f0＝5．2 kHz。而EMC测试中的快速脉冲群频率为5．0kHz(2kV)或2．5kHz(4kV)，5．0kHz刚好谐振，2．5kHz也不会被衰减，如图3所示。这说明滤波器中元件参数选取不当，可能根本起不到提高EMC性能的作用。

 
图3 图2(a) 滤波器的辐射特性

　　3. 电容结构的选择

　　从理论上讲，电容的容量越大，容抗就越小，滤波效果就越好。一些人也有这种习惯认识。但是，容量大的电容一般寄生电感也大，自谐振频率低(如典型的陶瓷电容，0．1 uF的fo=5MHz，0．01ulF的fo=15MHz，0．001uF的f0=50MHz)，对高频噪声的去耦效果差，甚至根本起不到去耦作用。分立元件的滤波器在频率超过10MHz时，将开始失去性能。元件的物理尺寸越大，转折点频率越低。这些问题可以通过选择特殊结构的电容来解决。

　　贴片电容的寄生电感几乎为零，总的电感也可以减小到元件本身的电感、通常只是传统电容寄生电感的1／3～1／5，自谐振频率可达同样容量的带引线电容的2倍(也有资料说可达10倍)，是射频应用的理想选择。

　　传统上，射频应用一般选择瓷片电容。但在实践中，超小型聚脂或聚苯乙烯薄膜电容也是适用的，因为他们的尺寸与瓷片电容相当。

　　三端电容能将小瓷片电容频率范围从50MHz以下拓展到200MHz以上，这对抑制VHF频段的噪声是很有用的。要在VHF或更高的频段获得更好的滤波效果，特别是保护屏蔽体不被穿透，必须使用馈通电容。