COOL MOSFET在反激式转换器中的EMI设计指南

   2015-08-24 安规与电磁兼容网17440
本文导读:本文简述功率在转换器电路中的转换传输过程,针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间,产生电压和电流尖峰的问题,进而产生电磁干扰现象,通过对比传统平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数,寻找使用超结MOSFET产生更差
 
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