COOL MOSFET在反激式转换器中的EMI设计指南

核心提示：本文简述功率在转换器电路中的转换传输过程，针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间，产生电压和电流尖峰的问题，进而产生电磁干扰现象，通过对比传统平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数，寻找使用超结MOSFET产生更差