再来看一下FLY－反激变换器的工作机理如下图：

FLY反激变换器在正常工作情况下，当MOSFET关断时，初级电流（Id）在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd＋Cds）充电，当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和（Vin＋nVo）时，次级二极管导通，初级电感Lp两端的电压被箝位至nVout。因此初级总漏感Lk（即Lkp＋n2×Lks）和Coss之间发生谐振，产生高频＆尖峰高压，如MOS管上的过高的电压可能导致产品的可靠性问题。

参考上图：FLY－反激式变换器可以工作在连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM）模式下；

当工作在CCM模式时，次级二极管保持导通直至MOSFET栅极导通，而MOSFET导通时，次级二极管的反向恢复电流被添加至初级电流，因此在导通瞬间初级电流上出现较大的电流尖峰；

当工作在DCM模式时，由于次级电流在一个开关周期结束前电流为零，可以实现零电流的开关模式；这个DCM模式下对EMI是有利的；因此我一般是建议电子产品＆设备使用FLY开关电源系统时要设计工作在DCM模式下；但此时会出现Lp和MOSFET的Coss之间发生谐振！以下进行Data分析；

如上图所示的包含寄生元件的FLY变换器结构图，其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和漏源极的杂散电容，Lp、Lkp、Lks和Cp分别为变压器的初级电感、初级电感的漏感、次级电感的漏感和原边线圈的杂散电容，Cj为输出二极管的结电容。

注意：开关MOS－S脚到C1的红色走线与Coss＆ Lkp与Coss的谐振会造成我们30MHz－50MHz的频域EMI辐射问题。

在开关管开通瞬间，由于电容两端电压不能突变，杂散电容Cp两端电压开始是上负下正，产生放电电流，随着开关管逐渐开通，电源C1电压Vin对杂散电容Cp充电，其两端电压为上正下负，形成流经开关管和Vin的电流尖峰；

同时Cds电容对开关管放电，也形成电流尖峰，但是此尖峰电流不流经Vin，只在开关管内部形成回路；另外，如果变换器工作在CCM模式时，由于初级电感Lp两端电压缩小，输出二极管D开始承受反偏电压关断，引起反向恢复电流，该电流经变压器耦合到原边侧，也会形成流经开关管和Vin的电流尖峰。

在开关管开通阶段，输出二极管D截止，电容Cp两端电压为Vin，通过初级电感Lp的电流指数上升，近似线性上升。

在开关管关断瞬间，初级电流id为Coss充电，当Coss两端的电压超过Vin与nVo（输出二极管D开通时变压器副边线圈电压反射回原边线圈的电压）之和时，输出二极管D在初级电感Lp续流产生的电压作用下正偏开通，Lk和Coss发生谐振，产生高频震荡电压和电流。

在开关管关断阶段，输出二极管D正偏导通，把之前存储在Lp中的能量释放到负载端，此时副边线圈电压被箝位等于输出电压Vo，经匝比为n的变压器耦合回原边，使电容Cp电压被充电至nVo（极性下正上负），初级电感Lp两端的电压被箝位至nVo。当Lp续流放电结束后，输出二极管D反偏截止，Lp和Coss、Cp发生谐振，导致Cp上的电压降低。