为满足以低电容滤波器实现但同时保持高滤波性能这种矛盾的要求，意法半导体开发出在900MHz频率上具有高频衰减特性并采用超低电容结构的新一代EMI滤波器。 

这些基于IPAD技术(整合主动、被动组件)的新型EMI滤波器，采用了带整合ESD保护的标准PI滤波器结构。图3显示了一种带串联电阻及电容的基本滤波器单元配置。  

图5.分别通过高、低电容滤波器的40MHz数据传输测试结果比较


       这种新型低电容结构用来提供200MHz范围内的截止频率，可支持频率频率超过40MHz的数据速率。

      尽管二极管电容已被极大地减少至8.5pF，但它能提供出色的滤波性能，即在大约900MHz的频率范围内衰减特性优于-35dB。  

图4显示采用此滤波器基本单元架构的S21参数指标。图中显示在900MHz频率上具有35dB的衰减特性，这是一种透过17pF线电容整合EMI滤波器来达到的空前性能。  

除滤波功能外，整合输入齐纳二极管还能抑制高达15kV的空中放电ESD冲击，达到IEC61000-4-2第4级工业标准所要求的性能水平。  

高速数据兼容性  

为了不扰乱视频讯号，新型低电容滤波器在设计时采用了经过最佳化的线电容值，以支持频率频率高于40MHz的芯片组。  

这种结构对数据讯号上升、下降沿只有很小的影响，且组件输入、输出间几乎没有什么延迟。  

用最大2.8V、1ns的讯号对输入Rt(10-90%上升沿)及Ft(10-90%下降沿)进行模拟，结果表明，由滤波器引起的延时(输出与输入讯号之差)不超过1ns。可以肯定，即使对于高分辨率LCD或相机应用，也能完全保持数据的完整性。  

工作于40MHz频率上的3V视频讯号分别通过高、低电容滤波器的传输情况比较。可以发现，高电容结构所引起的延时是低电容结构的5至6倍。在这种情况下，讯号输出电压不能被正确地接收。  

高整合解决方案  

与分离式设计相比，使用设计成带层迭凸点的覆晶芯片封装型整合EMI滤波器，可简化PCB布局并节省高达80%的板面积。  

结果显示，线整合率(PCB面积/线数)大约为0.6。这意味着这些新型滤波器将在每线占去0.6mm2的PCB面积以提供EMI功能及ESD保护。  

建议该新型滤波器系列采用4、6及8条‘PI’线配置来提供设计灵活性并满足大多数高速数据线设计要求。其PCB面积占用分别为2.4mm2、3.7mm2及5.0mm2，故几乎可完全采用传统的SOT323塑料封装。  

意法的新型低电容EMI滤波器支持4、6及8线配置，每一种配置均包含侧接有齐纳二极管的RC滤波网络。100奥姆的串联电阻与17pF的线电容值被用来达到在0.8MHz至2GHz范围内最小30dB的衰减。组件的低电容意味着它们能被用于下一代频率频率超过40MHz的LCD显示器及相机传感器。