要求大容量时有积层陶瓷电容器可供选择，它的频率特性非常优越，相较于钽质电容器的低可靠性，积层陶瓷电容器经常被设置在基板的入口处，当作旁通电容器使用 。

2段旁通电容器属于高频旁通，要求频率特性优越的电容器，因此经常使用陶瓷电容器，不过圆盘状的陶瓷电容器容量都很低，要求大容量高频特性时，可以使用2个陶瓷电容器；只要求大容量时建议改用Mylar电容器或是钽质电容器；只要求高频特性时可以改用陶瓷电容器。

上述积层陶瓷电容器的容量比形电容器大，频率特性也比较优秀，许多设计使用一个积层陶瓷电容器，支持高频到低频的需求。

电容器单体的频率特性在高频时容易劣化，主要原因是组件的导线造成，改善电容器的频率特性必需针对导线进行对策，具体结果例如3端子电容器与贯穿电容器都是典型代表(图11)。

图11(a)是3端子电容器的外观，如果依照图11(c)使用，可以利用导线降低电感；图12是3端子电容器的特性。

图13是贯穿电容器的断面结构，如图所示贯穿电容器呈圆筒状，内部的电容电极就是导线本体，外部电极直接与Chassis的固定对象物连接，所以外观上完全没有导线，频率特性接近理想状态，缺点是受到结构上的限制它的容量非常小。

贯穿电容器除了当作电容器使用，还被当作无孔穴的遮蔽(shield) 使用，由于遮蔽效应会被孔穴抵销，在遮蔽筐体导线通过部若设置贯穿电容器，可以获得无孔穴的效果。

无导线电容器的频率特性比传统有导线电容器优秀。表面封装用电容器没有导线直接固定在基板表面，它的频率特性比有导线电容器更优秀。