3.2.2 电路仿真
选取LDM=20μH，C2=C1=0.47μF，在仿真的过程中，给予EPC=6.7pF、EPR=12.8kΩ、ESL=14nH以及
ESR=0.1mΩ，M1=－83.3nH，M2=83.3nH，M3=0.45nH，M4=10.3nH，M5=－10.3nH，M6=0.2nH，观察它们对插入损耗的影响。

图13 差模滤波器的寄生参数对插入损耗的影响

1-理想元器件构成差模滤波器的插入损耗
2-考虑以上四种寄生参数时的插入损耗
3-考虑寄生参数之间及寄生参数与原滤波电感耦合作用时的插入损耗
Saber 仿真结果如图13 所示，可知，寄生参数使得差模EMI 滤波器的插入损耗，与共模滤波器一样，在1MHz 之后发生了急剧削弱，加之寄生参数之间以及寄生参数与原滤波电感的耦合作用，差模滤波器的插入损耗明显降低，从而使得滤波器的从性能严重变差，但是耦合作用消除了由寄生参数引起的谐振点。

通过仿真可以看出寄生参数对EMI滤波器的插入损耗的影响是不容忽视的，尤其是在高频段的时候。同样寄生参数与原电感之间的耦合对其影响也相当显著。

4 结论

基于以上分析，可以得到如下三点结论：
（1）无源元件的各寄生参数在影响插入损耗的过程中，不同的寄生参数有不同的表现：寄生电感和电容通常会引起电路的谐振，并且在谐振点之后对插入损耗有明显的衰减作用，寄生电阻通常会影响低频段或谐振点处的插入损耗；
（2）无源元件的寄生参数使得EMI 滤波器的高频性能明显变差，并且不同的寄生参数有不同的影响，寄生电阻使得理想插入损耗曲线平行上移，而寄生电容和寄生电感会在插入损耗曲线上产生谐振点，在谐振点之后插入损耗急剧减小；
（3）寄生电感之间以及寄生电感与原滤波电感之间的耦合，尽管对EMI 滤波器插入损耗产生严重的削减作用，但是可以消除由寄生参数引起的谐振点，使得谐振点之后的削减作用变得较为缓和。

参考文献

[1] 钱振宇. 开关电源的电磁兼容性设计与测试[M].北京，电子工业出版社，2005.
[2] 钱照明,陈恒林. 电力电子装置电磁兼容研究最新进[J].电工技术学报,2007,7:1-11.
[3] 邱扬,鬲莉,等. 电感器磁芯材料特性的参数分析法[J].安全与电磁兼容，2002，6：32-34.
[4] Wang S,Lee F C,Odendaal W G. Improvement of EMIfilter performance with parasitic coupling cancellation[J].
IEEE Trans. On Power Electronics ， 2005 ，20(5):1221-1228.
[5] Wang S，Lee F C，Chen D Y，et al. Effects ofparasiticparameters on EMI filter performance[J]. IEEE
Trans.on Power Electronics，2004，19 (3): 869-877.
[6] 孔剑虹.功率变换器拓扑中磁性元件磁心损耗的理论与试验研究[D]. 浙江：浙江大学(博士论文),2003.P38:43.