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抑制RF噪声和EMI的方法和技巧

   2007-03-22 电子工程专辑2330


图3是利用这些方法消除振铃后的方波图形

由于运算放大器可以整流高频信号(会造成直流误差)和放大耦合到电路的噪声,所以模拟电路很容易受干扰影响。更糟糕的是,这些信号将被引入到电路板中,最终造成更大干扰。通常,双极运算放大器比JFET和CMOS器件更易受RFI整流的影响,这是因为双极结合晶体管的输入阻抗一般要比CMOS和JFET器件的输入阻抗低。

图4是BJT差分对。电容C代表基底电容。当它开始充电时,Q1以低阻抗上拉,使流经Q1和Q2集电极的电流不平衡,从而造成信号整流。可是,低功率设计通常更不容易受RFI整流的影响,这是因为当尾电流减少时,输入级的输入阻抗增加。



在噪声进入电路以前减弱噪声对提高设计性能并使产品符合相关标准非常重要。出于这个想法,工程师们应该在设计的每一步(从选择元器件开始)采取预防措施以减少和阻止辐射。本文讨论在保持设计高性能水平的同时抑制电磁辐射(EMI)的方法和技巧,包括正确选择元件、采用多层电路板、尽量减小走线环路面积等。
 
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