三、开关电源EMI 的高频等效电路（DC/DC 反激开关电源）

直流反激开关电源的高频EMI 等效推导：

（1）原边MOSFET 交流电压分量单独作用下的EMI 等效电路

（1）—A：原边MOSFET 交流电压分量单独作用下的差模EMI 等效电路从

从差模EMI 在高频段的等效电路可知，差模等效电路的EMI 源除了和MOSFET电压波形、激磁电感、滤波电容的ESR 有关外，还与变压器、输入滤波电容和引线的其他寄生参数有关。这与在低频段时有很大的差别，同样的EMI 阻抗也与低频段有很大的差别。

（1）-B 原边MOSFET 交流电压分量单独作用下的共模EMI 等效电路

从共模EMI 在高频段的等效电路可知，共模等效电路的EMI 源除了和电压波形、MOSFET 漏极与散热器之间的电容有关外，还与变压器的层间电容、二极管阴极与散热器之间的电容及滤波电容的寄生参数与引线电感等有关。这与在低频段时有很大的差别，同样的EMI 阻抗也与低频段有很大的区别。

（2）：副边二极管交流电流分量单独作用下的EMI 等效电路

（2）—A：副边二极管交流电流分量单独作用下的差模EMI 等效电路

从差模EMI 在高频段的等效电路可知，差模等效电路的EMI 源除了和二极管电流波形、激磁电感、滤波电容的ESR 有关外，还与变压器、输入滤波电容和引线的其他寄生参数有关，这与在低频段有很大的差别，同样的EMI 阻抗也与低频段有很大的差别。

（2）—B：副边二极管交流分量单独作用下的共模EMI 的等效电路

从共模EMI 在高频段的等效电路可知，共模等效电路的EMI 源除了和副边二极管电流波形有关外，还与变压器的层间电容、二极管阴极与散热器之间的电容及滤波电容的寄生参数和引线电感有关。这与在低频段时（可看成无共模路径）有很大的差别。