ESD通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。具体到I/O，就是与PAD相连的输出驱动和输入接收器。根据对ESD低阻放电通路的要求，上面六条通路必须保证在ESD发生时，形成与保护电路并行的低阻通路，旁路ESD电流，且能立即有效地钳位保护电路电压。而在这两部分正常工作时，不影响电路的正常工作。
　　
　　图2 典型的I/O电路示意图
　　
　　图3是加入ESD电流通路的I/O电路，在图3所列的所有器件中，HBM模式下 输出驱动上的NMOS管是最容易受损坏的。因此下面会对输出驱动中NMOS管的ESD低阻旁路给出比较详细的介绍。
　　
　　图3 加入ESD电流通路的I/O电路，二极管ND是NMOS漏极与P型衬底形成的寄生二级管，二极管PD是PMOS漏极与N阱形成的寄生二级管，VDD与VSS之间的二极管Dp是N阱与P型衬底形成的寄生二级管。电阻Rs和Rin用于进一步降低被保护器件上的ESD电压。
　　
　　● PS模式下PAD、VSS之间的ESD低阻旁路
　　每一个I/O引脚电路中都应建立一个PAD到VSS的ESD保护电路（图4）。
　　
　　图4 PAD对VSS反向ESD放电时的电流通路
　　
　　常用的ESD保护器件有电阻、二极管、双极性晶体管、MOS管、可控硅（SCR）等。由于MOS管与CMOS工艺兼容性好，我们常采用MOS管构造保护电路。

　　CMOS 工艺条件下的NMOS管有一个横向寄生n-p-n(源极-p型衬底–漏极)晶体管，如图5(a)所示。
　　这个寄生的晶体管开启时能吸收大量的电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路，其中最典型的器件结构就是栅极接地NMOS（GGNMOS，Gate Grounded NMOS）。

　　在正常工作情况下，NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时，漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩，并伴随着电子空穴对的产生。一部分产生的空穴被源极吸收，其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在，使衬底电压提高。当衬底和源之间的PN结正偏时，电子就从源发射进入衬底。这些电子在源漏之间的电场的作用下，被加速，产生电子、空穴的碰撞电离，从而形成更多的电子空穴对，使流过n-p-n晶体管的电流不断增加，最终使NMOS晶体管发生二次击穿，此时的击穿不再可逆，则NMOS管损坏。