● PD模式下PAD，VDD之间ESD低阻旁路
　　在ESD过程中，如果PAD对VDD正向放电, 放电通路由N阱和每一个与PAD相连PMOS的漏极产生的寄生二极管组成。此时二极管正向导通，有很高ESD防护能力，PAD对VDD的正向放电可以很容易的分布到芯片各个管脚。
　　
　　图9 PAD对VSS反向ESD放电时的电流通路
　　
　　● ND模式下VDD，PAD之间ESD低阻旁路
　　在ESD过程中，如果PAD对VDD负向放电，放电通路如图10。PAD对VDD负向放电通路由PMOS横向寄生晶体管组成。电路原理和结构与PS模式下PAD到VSS的电路类似。
　　
　　图10 PAD对VDD反向放电电流通路
　　
　　●VDD，VSS之间ESD低阻旁路
　　VDD，VSS的PAD上也可能发生ESD事件，因此也需要有ESD保护。
　　在ESD过程中，如果VDD对VSS正向放电，基本的VDD到VSS的保护电路结构是在VDD和VSS之间加一个大尺寸的GGNMOS（如图11）。为了提高VDD到VSS之间保护电路的效率，减小电源线间寄生电阻电容对其ESD保护性能的影响，可将这个保护电路复制多份，分布到芯片中去。
　　
　　图11 VDD到VSS基本ESD电路保护结构
　　
　　在ESD过程中，如果VDD对VSS反向放电，ESD电流通过P衬底和N阱形成的二极管被旁路掉，此时这个寄生二极管正向导通，所以它的ESD保护能力强。
　　● PAD，PAD之间ESD低阻旁路
　　在PAD 到PAD的电流通路中,ESD电流经输入端的ESD保护器件流入电源线,再通过电源线流经各个输出端的ESD保护器件到地。
　　
　　5 综述
　　
　　ESD保护电路不是单一芯片引脚的问题，它要从整个芯片全盘考虑。芯片里每一个I/O电路中都需要建立相应ESD保护电路，ESD保护电路在版图中要画在PAD旁。VDD到VSS之间也需要ESD保护电路，VDD到VSS之间的ESD保护电路在芯片中要能多次引用。每一个有输入接收端的I/O电路上应加二级ESD保护，二级ESD保护电路在版图中要尽量靠近输入接收端。电源线用于吸收ESD电流，在版图中尽量画宽，减小电源线上的电阻。
　　
　　参考文献
　　[1]. JESD22-A114D,
　　[2]. Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury，“ESD in Silicon Integrated Circuits, 2nd Edition/On”，John Wiley & Sons, Ltd， 2002
　　[3].SanjayDabral and Timothy Maloney，“Basic ESD and I/O design”，John Wiley & Sons, Ltd，1998
　　[4]. MOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨